日本川崎--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的“MG400V2YMS3”。这是东芝首款具有此类电压等级的产品，与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件的阵容。

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新模块在安装方式上与广泛使用的硅(Si) IGBT模块兼容。它们的低能量损耗特性满足了工业设备对更高效率和更小尺寸的需求，如轨道车辆的转换器和逆变器，以及可再生能源发电系统。

应用

• 轨道车辆的逆变器和转换器
• 可再生能源发电系统
• 电机控制设备
• 高频DC-DC转换器

特点

• 安装方式兼容Si IGBT模块
• 损耗低于Si IGBT模块

MG600Q2YMS3
V_DS(on)sense =0.9V（典型值）@I_D=600A，T_ch=25°C
E_on=25mJ（典型值）, E_off=28mJ（典型值） @V_DS=600V，I_D=600A，T_ch=150°C

MG400V2YMS3
V_DS(on)sense=0.8V（典型值）@I_D=400A, T_ch=25°C
E_on=28mJ（典型值），E_off=27mJ（典型值）@V_DS=900V，I_D=400A, T_ch=150°C

• 内置NTC热敏电阻

主要规格

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MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3

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SiC功率器件

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
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东芝公司：1200V和1700V的碳化硅(SiC) MOSFET模块支持体积更小、更高效的工业设备。（图示：美国商业资讯）