日本川崎--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出了采用薄型SO6L封装的两款光耦——“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件即日起开始批量出货。

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TLP5705H采用厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄型封装(SO6L)，是东芝首款可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器和伺服放大器等设备，现在可直接通过该光耦驱动其IGBT/MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型化。

TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5A。SO6L封装可兼容东芝传统的SDIP6封装的焊盘^[1]，便于替代东芝现有产品^[2]。SO6L比SDIP6更纤薄，能够为电路板组件布局提供更高的灵活性，并支持电路板背面安装，或用于器件高度受限的新型电路设计。

这两款光耦的最高工作温度额定值均达到125℃（T_a=-40至125ºC），使其更容易设计和保持温度裕度。

此外，东芝提供的同系列器件还包括TLP5702H(LF4)与TLP5705H(LF4)，采用SO6L(LF4)封装的引线成型选项。

注：
[1] 封装高度：4.25毫米（最大值）
[2] 当前产品：采用SDIP6封装的TLP700H

应用

工业设备

• 工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。

特性

• 高峰值输出电流额定值（Ta＝-40℃至125℃时）
  I_OP=±2.5A (TLP5702H)
  I_OP=±5.0A (TLP5705H)
• 薄型SO6L封装
• 高工作温度额定值：T_opr（最大值）=125°C

主要规格

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TLP5702H
TLP5705H

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隔离器/固态继电器

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TLP5702H
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TTLP5702H.html

TLP5705H
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东芝：用于IGBT/MOSFET栅极驱动的薄型封装高峰值输出电流光耦。（图示：美国商业资讯）